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半導(dǎo)體領(lǐng)域經(jīng)常會遇到零部件微小的情況，正因為這樣才需要通過微蝕刻加工的方式進(jìn)行，蝕刻工藝是微制造過程中極其重要的步驟。蝕刻是指在進(jìn)行制造時通過晶片表面去除層，每個晶片都需要經(jīng)歷很多的微蝕刻加工過程，而用于保護(hù)晶片免受蝕刻液腐蝕影響的材料我們叫掩膜材料，掩膜材料可以是光致抗蝕劑，也可以通過光刻法進(jìn)行圖案化。蝕刻過程中需要通過空腔根據(jù)特定的深度來控制蝕刻時間和蝕刻速率。多層結(jié)構(gòu)的頂層去除需要通過蝕刻機(jī)來執(zhí)行，下層和掩膜層無任何種類的損傷，主要原因是取決于材料之間的蝕刻速率之比，即選擇性。蝕刻會削弱掩膜層，產(chǎn)生空腔的傾斜側(cè)壁稱為偏差。

蝕刻中的濕法蝕刻其原理是通過對液體化學(xué)物質(zhì)或者蝕刻液從晶片出去材料的過程。掩膜限定可以銅鼓晶片上的特定圖案來完成。沒有被掩膜保護(hù)的材料將被蝕刻液腐蝕掉。鏡片上沉積和構(gòu)圖的掩膜可以通過光刻技術(shù)來執(zhí)行。濕法刻蝕工藝涉及多層化學(xué)反應(yīng)，消耗原反應(yīng)物產(chǎn)生新的反應(yīng)物。